Kategóriák
»A Mercateo-rólÜdvözöljük! Bejelentkezni
Az én Mercateom
Kosár
 
 

MOSFET, 2 elem/chip, 8 A, 30 V, 8-tüskés, SOIC HEXFET


Mennyiség:  db  
Termékinformációk
Product Image
Product Image
Cikkszám:
     1090E-168-5982
Gyártó:
     Infineon
Gyártói szám:
     IRF9362TRPBF
EAN/GTIN:
     5059043368856
Keresőfogalmak:
HEXFET
MOSFET
MOSFET-tranzisztor
Csatorna típusa = P
Maximális folyamatos nyelőáram = 8 A
Maximális nyelő forrásfeszültség = 30 V
Csomag típusa = SOIC
Rögzítés típusa = Felületre szerelhető
Tüskék száma = 8
Maximális nyelő forrásellenállás = 32 mΩ
Csatorna mód = Növekményes
Maximális kapu küszöbfeszültség = 2.4V
Minimális kapu küszöbfeszültség = 1.3V
Maximális teljesítménydisszipáció = 2 W
Maximális kapu forrásfeszültség = -20 V, +20 V
Elemek száma chipenként = 2
Magasság = 1.5mm

N-csatornás MOSFET 30V, Infineon teljesítmény. Az Infineon diszkrét HEXFET® teljesítmény MOSFET És olyan kialakítások, amelyek segítségével szinte bármilyen alaplapelrendezés és termikus tervezési feladat megoldható. Az ellenállás méretében a termékskála alapján csökkenő vezetési veszteség érhető el, ami lehetővé teszi a tervezők számára a rendszer optimális hatékonyságát.
További keresőfogalmak: 1685982, Félvezetők, Diszkrét félvezetők, MOSFET-ek, Infineon, IRF9362TRPBF
A kondíciók áttekintése1
Szállítási idő
Raktárkészlet
Nettó ár
HUF 119,00*
  
Az ár 4 000 db-től érvényes
Megrendelések csak a 4 000 db többszöröseként
Részletes információk
Cikk ajánlásaCikk megjegyzése
* A csillaggal jelölt árak nettó árak, jogilag érvényes ÁFA nélkül.
Ajánlatunk kizárólag vállalatoknak, vállalkozóknak és szabadfoglalkozásúaknak szól.