Kategóriák
»A Mercateo-rólÜdvözöljük! Bejelentkezni
Az én Mercateom
Kosár
 
 

MOSFET, 2 elem/chip, 8,1 A, 30 V, 8-tüskés, SOIC HEXFET


Mennyiség:  db  
Termékinformációk
Product Image
Product Image
Cikkszám:
     1090E-168-6026
Gyártó:
     Infineon
Gyártói szám:
     IRL6372TRPBF
EAN/GTIN:
     5059043397580
Keresőfogalmak:
HEXFET
MOSFET
MOSFET-tranzisztor
Csatorna típusa = N
Maximális folyamatos nyelőáram = 8,1 A
Maximális nyelő forrásfeszültség = 30 V
Csomag típusa = SOIC
Rögzítés típusa = Felületre szerelhető
Tüskék száma = 8
Maximális nyelő forrásellenállás = 23 mΩ
Csatorna mód = Növekményes
Maximális kapu küszöbfeszültség = 1.1V
Minimális kapu küszöbfeszültség = 0.5V
Maximális teljesítménydisszipáció = 2 W
Maximális kapu forrásfeszültség = -12 V, +12 V
Elemek száma chipenként = 2
Min. működési hőmérséklet = -55 °C

Kettős N csatornás MOSFET végerősítő Infineon. Az Infineon kettős teljesítmény MOSFET-jei két HEXFET® eszközt integrálnak, hogy helytakarékos, költséghatékony kapcsolási megoldást nyújtsanak a nagy komponens sűrűségű kialakításokban, ahol az alaplap térereje a csúcson van. Többféle csomag közül lehet választani, és a tervezők kiválaszthatják a kettős N-csatorna konfigurációt.
További keresőfogalmak: 1686026, Félvezetők, Diszkrét félvezetők, MOSFET-ek, Infineon, IRL6372TRPBF
A kondíciók áttekintése1
Szállítási idő
Raktárkészlet
Nettó ár
HUF 132,00*
  
Az ár 4 000 db-től érvényes
Megrendelések csak a 4 000 db többszöröseként
Részletes információk
Cikk ajánlásaCikk megjegyzése
* A csillaggal jelölt árak nettó árak, jogilag érvényes ÁFA nélkül.
Ajánlatunk kizárólag vállalatoknak, vállalkozóknak és szabadfoglalkozásúaknak szól.