Kategóriák
»A Mercateo-rólÜdvözöljük! Bejelentkezni
Az én Mercateom
Kosár
 
 

MOSFET, 2 elem/chip, 5,3 A, 7,3 A, 30 V, 8-tüskés, SOIC HEXFET Izolált Si


Mennyiség:  db  
Termékinformációk
Product Image
Product Image
Cikkszám:
     1090E-168-7933
Gyártó:
     Infineon
Gyártói szám:
     IRF7389TRPBF
EAN/GTIN:
     5059043377766
Keresőfogalmak:
HEXFET
Teljesítmény tranzisztor
MOSFET
MOSFET-tranzisztor
Csatorna típusa = N, P
Maximális folyamatos nyelőáram = 5,3 A, 7,3 A
Maximális nyelő forrásfeszültség = 30 V
Csomag típusa = SOIC
Rögzítés típusa = Felületre szerelhető
Tüskék száma = 8
Maximális nyelő forrásellenállás = 46 mΩ, 98 mΩ
Csatorna mód = Növekményes
Maximális kapu küszöbfeszültség = 1V
Minimális kapu küszöbfeszültség = 1V
Maximális teljesítménydisszipáció = 2,5 W
Tranzisztorkonfiguráció = Izolált
Maximális kapu forrásfeszültség = -20 V, +20 V
Elemek száma chipenként = 2
Magasság = 1.5mm

Kettős N/P-csatornás MOSFET Infineon. Az Infineon kettős teljesítmény MOSFET-jei két HEXFET® eszközt integrálnak, hogy helytakarékos, költséghatékony kapcsolási megoldást nyújtsanak a nagy komponens sűrűségű kialakításokban, ahol az alaplap térereje a csúcson van. Többféle csomag közül lehet választani, és a tervezők választhatják a kettős N/P csatorna konfigurációt.
További keresőfogalmak: teljesítmény tranzisztor, 1687933, Félvezetők, Diszkrét félvezetők, MOSFET-ek, Infineon, IRF7389TRPBF
A kondíciók áttekintése1
Szállítási idő
Raktárkészlet
Nettó ár
raktáron raktáron
HUF 146,00*
  
Az ár 4 000 db-től érvényes
Megrendelések csak a 4 000 db többszöröseként
Részletes információk
Cikk ajánlásaCikk megjegyzése
* A csillaggal jelölt árak nettó árak, jogilag érvényes ÁFA nélkül.
Ajánlatunk kizárólag vállalatoknak, vállalkozóknak és szabadfoglalkozásúaknak szól.