Kategóriák
»A Mercateo-rólÜdvözöljük! Bejelentkezni
Az én Mercateom
Kosár
 
 

MOSFET, 2 elem/chip, 900 mA, 30 V, 3-tüskés, SOT-23 NDS352AP Egyszeres Si


Mennyiség:  csomag  
Termékinformációk
Product Image
Product Image
Cikkszám:
     1090E-178-7630
Gyártó:
     ON Semiconductor
Gyártói szám:
     NDS356AP
EAN/GTIN:
     nincs adat
Keresőfogalmak:
Teljesítmény tranzisztor
MOSFET
MOSFET-tranzisztor
teljesítmény tranzisztor
Csatorna típusa = P
Maximális folyamatos nyelőáram = 900 mA
Maximális nyelő forrásfeszültség = 30 V
Csomag típusa = SOT-23
Rögzítés típusa = Felületre szerelhető
Tüskék száma = 3
Maximális nyelő forrásellenállás = 0.5 Ω
Csatorna mód = Növekményes
Maximális kapu küszöbfeszültség = 20V
Maximális teljesítménydisszipáció = 500 mW
Tranzisztorkonfiguráció = Egyszeres
Maximális kapu forrásfeszültség = -20 V, +20 V
Elemek száma chipenként = 2
Tranzisztor anyaga = Si

Kiemelési mód, P-csatornás MOSFET on Semiconductor. A P-csatornás MOSFET-ek félvezetők termékcsaládján A Félszabadalmazott, magas sejtsűrűségű DMOS technológiát alkalmazzák. Ezt a rendkívül nagy sűrűségű eljárást úgy tervezték, hogy a lehető legkisebb legyen a működés közbeni ellenállás, ami robusztus és megbízható teljesítményt nyújt a gyors kapcsoláshoz. Funkciók és előnyök:. Feszültségszabályozott P-csatornás kis jelkapcsoló Nagy sűrűségű cellás kialakítás Nagy telítettség Kiváló kapcsolás Nagy teljesítmény masszív és megbízható minőségben MOS technológia. Alkalmazások:. Terhelés És Kapcsolás DC/DC átalakító Akkumulátor védelme Energiakezelés vezérlése Egyenirányú motorvezérlés
További keresőfogalmak: 1787630, Félvezetők, Diszkrét félvezetők, MOSFET-ek, onsemi, NDS356AP
A kondíciók áttekintése1
Szállítási idő
Raktárkészlet
Nettó ár
HUF 162 000,00*
1 csomag tartalmaz 3 000 db (HUF 54,00* db-ként)
Részletes információk
Cikk ajánlásaCikk megjegyzése
* A csillaggal jelölt árak nettó árak, jogilag érvényes ÁFA nélkül.
Ajánlatunk kizárólag vállalatoknak, vállalkozóknak és szabadfoglalkozásúaknak szól.