Kategóriák
»A Mercateo-rólÜdvözöljük! Bejelentkezni
Az én Mercateom
Kosár
 
 

MOSFET, 2 elem/chip, 5,1 A, 55 V, SO-8


Mennyiség:  csomag  
Termékinformációk
Product Image
Product Image
Cikkszám:
     1090E-217-2601
Gyártó:
     Infineon
Gyártói szám:
     IRF7341GTRPBF
EAN/GTIN:
     nincs adat
Keresőfogalmak:
MOSFET
MOSFET-tranzisztor
Maximális folyamatos nyelőáram = 5,1 A
Maximális nyelő forrásfeszültség = 55 V
Csomag típusa = SO-8
Rögzítés típusa = Felületre szerelhető
Maximális nyelő forrásellenállás = 65 hó
Maximális kapu küszöbfeszültség = 1V
Elemek száma chipenként = 2

A kettős SO-8 tokozású Infineon HEXFET ® teljesítmény MOSFET-EK a legújabb feldolgozási technikákat alkalmazzák a rendkívül alacsony szilíciumtérellenállás eléréséhez. A HEXFET teljesítmény MOSFET további jellemzői a 175 °C-os csatlakozási üzemi hőmérséklet, a gyors kapcsolási sebesség és a javított ismétlődő lavina besorolás. Ezek az előnyök együttesen teszik ezt a kialakítást rendkívül hatékony és megbízható eszközvé, amely számos más alkalmazásban használható. AZ SO-8 csomag 175 °C-os besorolása jobb hőteljesítményt biztosít megnövelt biztonságos működési területtel és kettős MOSFET-elvezetési képességgel, így ideális számos teljesítményalkalmazásban. Ez a kettős, felületre szerelhető SO-8 jelentősen csökkenti a kártyán lévő helyet, és szalagos és tekercses változatban is kapható.Fejlett folyamattechnológia Két N-csatornás MOSFET Rendkívül alacsony bekapcsolt állapotú ellenállás 175 °C-os üzemi hőmérséklet Az ismételt lavina Tjmax-ig engedélyezve Ólommentes
További keresőfogalmak: 2172601, Félvezetők, Diszkrét félvezetők, MOSFET-ek, Infineon, IRF7341GTRPBF
A kondíciók áttekintése1
Szállítási idő
Raktárkészlet
Nettó ár
raktáron raktáron
HUF 1 316 000,00*
1 csomag tartalmaz 4 000 db (HUF 329,00* db-ként)
Részletes információk
Cikk ajánlásaCikk megjegyzése
* A csillaggal jelölt árak nettó árak, jogilag érvényes ÁFA nélkül.
Ajánlatunk kizárólag vállalatoknak, vállalkozóknak és szabadfoglalkozásúaknak szól.