Kategóriák
»A Mercateo-rólÜdvözöljük! Bejelentkezni
Az én Mercateom
Kosár
 
 

MOSFET, 2 elem/chip, 5,3 A, 7,3 A, 30 V, 8-tüskés, SOIC HEXFET Izolált Si


Mennyiség:  db  
Termékinformációk
Product Image
Product Image
Cikkszám:
     1090E-541-2004
Gyártó:
     Infineon
Gyártói szám:
     IRF7389PBF
EAN/GTIN:
     5059043899046
Keresőfogalmak:
HEXFET
MOSFET
MOSFET-tranzisztor
Csatorna típusa = N, P
Maximális folyamatos nyelőáram = 5,3 A, 7,3 A
Maximális nyelő forrásfeszültség = 30 V
Csomag típusa = SOIC
Rögzítés típusa = Felületre szerelhető
Tüskék száma = 8
Maximális nyelő forrásellenállás = 29 mΩ, 58 mΩ
Csatorna mód = Növekményes
Maximális kapu küszöbfeszültség = 1V
Minimális kapu küszöbfeszültség = 1V
Maximális teljesítménydisszipáció = 2.5 W
Tranzisztorkonfiguráció = Izolált
Maximális kapu forrásfeszültség = -20 V, +20 V
Elemek száma chipenként = 2
Maximális működési hőmérséklet = +150 °C

Kettős N/P-csatornás MOSFET Infineon. Az Infineon kettős teljesítmény MOSFET-jei két HEXFET® eszközt integrálnak, hogy helytakarékos, költséghatékony kapcsolási megoldást nyújtsanak a nagy komponens sűrűségű kialakításokban, ahol az alaplap térereje a csúcson van. Többféle csomag közül lehet választani, és a tervezők választhatják a kettős N/P csatorna konfigurációt.
További keresőfogalmak: 5412004, Félvezetők, Diszkrét félvezetők, MOSFET-ek, Infineon, IRF7389PBF
A kondíciók áttekintése1
Szállítási idő
Raktárkészlet
Nettó ár
kezdő: HUF 346,00*
  
Az ár 200 db-től érvényes
Részletes információk
Cikk ajánlásaCikk megjegyzése
Sávos árak
Rendelési mennyiség
Nettó
Bruttó
Egység
1 db
HUF 495,00*
HUF 629,00
db-ként
kezdő: 10 db
HUF 422,00*
HUF 536,00
db-ként
kezdő: 50 db
HUF 408,00*
HUF 518,00
db-ként
kezdő: 100 db
HUF 394,00*
HUF 500,00
db-ként
kezdő: 200 db
HUF 346,00*
HUF 439,00
db-ként
* A csillaggal jelölt árak nettó árak, jogilag érvényes ÁFA nélkül.
Ajánlatunk kizárólag vállalatoknak, vállalkozóknak és szabadfoglalkozásúaknak szól.