Kategóriák
»A Mercateo-rólÜdvözöljük! Bejelentkezni
Az én Mercateom
Kosár
 
 

MOSFET, 2 elem/chip, 4,1 A, 4,6 A, 20 V, 6-tüskés, WDFN Izolált Si


Mennyiség:  db  
Termékinformációk
Product Image
Product Image
Cikkszám:
     1090E-780-0655
Gyártó:
     ON Semiconductor
Gyártói szám:
     NTLJD3119CTBG
EAN/GTIN:
     5059042792331
Keresőfogalmak:
MOSFET
MOSFET-tranzisztor
Csatorna típusa = N, P
Maximális folyamatos nyelőáram = 4,1 A, 4,6 A
Maximális nyelő forrásfeszültség = 20 V
Csomag típusa = WDFN
Rögzítés típusa = Felületre szerelhető
Tüskék száma = 6
Maximális nyelő forrásellenállás = 120 mΩ, 200 mΩ
Csatorna mód = Növekményes
Maximális kapu küszöbfeszültség = 1V
Maximális teljesítménydisszipáció = 2.3 W
Tranzisztorkonfiguráció = Izolált
Maximális kapu forrásfeszültség = -8 V, +8 V
Elemek száma chipenként = 2
Tranzisztor anyaga = Si

Két N/P-csatornás MOSFET on Semiconductor. Az NTJD1155L kétcsatornás MOSFET. A MOSFET a P és az N csatornás termékeket egyetlen csomagban kínálja, és briliáns az alacsony vezérlőjelhez, az alacsony akkumulátorfeszültség és a nagy teljesítményáram. Az N-csatorna belső ESD-védelemmel rendelkezik, és maximum 1,5 V logikai jelekkel működtethető, míg a P-csatornát terhelés-kapcsolási alkalmazásokhoz tervezték. A P-csatorna a félárok technológiájára épül.
További keresőfogalmak: 7800655, Félvezetők, Diszkrét félvezetők, MOSFET-ek, onsemi, NTLJD3119CTBG
A kondíciók áttekintése1
Szállítási idő
Raktárkészlet
Nettó ár
kezdő: HUF 93,00*
  
Az ár 3 000 db-től érvényes
Megrendelések csak a 10 db többszöröseként
Részletes információk
Cikk ajánlásaCikk megjegyzése
Sávos árak
Rendelési mennyiség
Nettó
Bruttó
Egység
kezdő: 10 db
HUF 191,00*
HUF 243,00
db-ként
kezdő: 100 db
HUF 135,00*
HUF 171,00
db-ként
kezdő: 500 db
HUF 116,00*
HUF 147,00
db-ként
kezdő: 1000 db
HUF 99,00*
HUF 126,00
db-ként
kezdő: 3000 db
HUF 93,00*
HUF 118,00
db-ként
* A csillaggal jelölt árak nettó árak, jogilag érvényes ÁFA nélkül.
Ajánlatunk kizárólag vállalatoknak, vállalkozóknak és szabadfoglalkozásúaknak szól.