Kategóriák
»A Mercateo-rólÜdvözöljük! Bejelentkezni
Az én Mercateom
Kosár
 
 

MOSFET, 2 elem/chip, 5,3 A, 20 V, 8-tüskés, SOIC HEXFET Izolált Si


Mennyiség:  db  
Termékinformációk
Product Image
Product Image
Cikkszám:
     1090E-826-8863
Gyártó:
     Infineon
Gyártói szám:
     IRF7314TRPBF
EAN/GTIN:
     5059043204161
Keresőfogalmak:
HEXFET
MOSFET
MOSFET-tranzisztor
Csatorna típusa = P
Maximális folyamatos nyelőáram = 5,3 A
Maximális nyelő forrásfeszültség = 20 V
Csomag típusa = SOIC
Rögzítés típusa = Felületre szerelhető
Tüskék száma = 8
Maximális nyelő forrásellenállás = 98 mΩ
Csatorna mód = Növekményes
Maximális kapu küszöbfeszültség = 0.7V
Minimális kapu küszöbfeszültség = 0.7V
Maximális teljesítménydisszipáció = 2 W
Tranzisztorkonfiguráció = Izolált
Maximális kapu forrásfeszültség = -12 V, +12 V
Elemek száma chipenként = 2
Maximális működési hőmérséklet = +150 °C

P-csatornás MOSFET 12 V - 20 V, Infineon. Az Infineon diszkrét HEXFET® teljesítmény MOSFET-jeinek kínálata P-csatornás eszközöket tartalmaz felületszerelt és ólmozott csomagokba és olyan formátumokat tartalmaz, amelyek képesek kielégíteni az alaplap szinte bármilyen elrendezését és a termikus tervezési kihívást. Az ellenállás méretében a termékskála alapján csökkenő vezetési veszteség érhető el, ami lehetővé teszi a tervezők számára a rendszer optimális hatékonyságát.
További keresőfogalmak: 8268863, Félvezetők, Diszkrét félvezetők, MOSFET-ek, Infineon, IRF7314TRPBF
A kondíciók áttekintése1
Szállítási idő
Raktárkészlet
Nettó ár
raktáron raktáron
kezdő: HUF 186,00*
  
Az ár 100 db-től érvényes
Megrendelések csak a 20 db többszöröseként
Részletes információk
Cikk ajánlásaCikk megjegyzése
Sávos árak
Rendelési mennyiség
Nettó
Bruttó
Egység
kezdő: 20 db
HUF 287,00*
HUF 364,00
db-ként
kezdő: 100 db
HUF 186,00*
HUF 236,00
db-ként
* A csillaggal jelölt árak nettó árak, jogilag érvényes ÁFA nélkül.
Ajánlatunk kizárólag vállalatoknak, vállalkozóknak és szabadfoglalkozásúaknak szól.