Kategóriák
»A Mercateo-rólÜdvözöljük! Bejelentkezni
Az én Mercateom
Kosár
 
 

MOSFET, 2 elem/chip, 3 A, 50 V, 8-tüskés, SOIC HEXFET Izolált Si


Mennyiség:  db  
Termékinformációk
Product Image
Product Image
Cikkszám:
     1090E-831-2865
Gyártó:
     Infineon
Gyártói szám:
     IRF7103TRPBF
EAN/GTIN:
     5059043597546
Keresőfogalmak:
HEXFET
MOSFET
MOSFET-tranzisztor
Csatorna típusa = N
Maximális folyamatos nyelőáram = 3 A
Maximális nyelő forrásfeszültség = 50 V
Csomag típusa = SOIC
Rögzítés típusa = Felületre szerelhető
Tüskék száma = 8
Maximális nyelő forrásellenállás = 200 mΩ
Csatorna mód = Növekményes
Maximális kapu küszöbfeszültség = 3V
Minimális kapu küszöbfeszültség = 1V
Maximális teljesítménydisszipáció = 2 W
Tranzisztorkonfiguráció = Izolált
Maximális kapu forrásfeszültség = -20 V, +20 V
Elemek száma chipenként = 2
Maximális működési hőmérséklet = +150 °C

Kettős N csatornás MOSFET végerősítő Infineon. Az Infineon kettős teljesítmény MOSFET-jei két HEXFET® eszközt integrálnak, hogy helytakarékos, költséghatékony kapcsolási megoldást nyújtsanak a nagy komponens sűrűségű kialakításokban, ahol az alaplap térereje a csúcson van. Többféle csomag közül lehet választani, és a tervezők kiválaszthatják a kettős N-csatorna konfigurációt.
További keresőfogalmak: 8312865, Félvezetők, Diszkrét félvezetők, MOSFET-ek, Infineon, IRF7103TRPBF
A kondíciók áttekintése1
Szállítási idő
Raktárkészlet
Nettó ár
kezdő: HUF 120,00*
  
Az ár 4 000 db-től érvényes
Megrendelések csak a 20 db többszöröseként
Részletes információk
Cikk ajánlásaCikk megjegyzése
Sávos árak
Rendelési mennyiség
Nettó
Bruttó
Egység
kezdő: 20 db
HUF 274,00*
HUF 348,00
db-ként
kezdő: 500 db
HUF 176,00*
HUF 224,00
db-ként
kezdő: 1000 db
HUF 143,00*
HUF 182,00
db-ként
kezdő: 2000 db
HUF 136,00*
HUF 173,00
db-ként
kezdő: 4000 db
HUF 120,00*
HUF 152,00
db-ként
* A csillaggal jelölt árak nettó árak, jogilag érvényes ÁFA nélkül.
Ajánlatunk kizárólag vállalatoknak, vállalkozóknak és szabadfoglalkozásúaknak szól.