Kategóriák
»A Mercateo-rólÜdvözöljük! Bejelentkezni
Az én Mercateom
Kosár
 
 

MOSFET, 2 elem/chip, 4,6 A, 6,8 A, 30 V, 8-tüskés, SOIC HEXFET Izolált Si


Mennyiség:  db  
Termékinformációk
Product Image
Product Image
Cikkszám:
     1090E-879-3312
Gyártó:
     Infineon
Gyártói szám:
     IRF9389TRPBF
EAN/GTIN:
     5059043589909
Keresőfogalmak:
HEXFET
MOSFET
MOSFET-tranzisztor
Csatorna típusa = N, P
Maximális folyamatos nyelőáram = 4,6 A, 6,8 A
Maximális nyelő forrásfeszültség = 30 V
Csomag típusa = SOIC
Rögzítés típusa = Felületre szerelhető
Tüskék száma = 8
Maximális nyelő forrásellenállás = 40 mΩ, 103 mΩ
Csatorna mód = Növekményes
Maximális kapu küszöbfeszültség = 2.3V
Minimális kapu küszöbfeszültség = 1.3V
Maximális teljesítménydisszipáció = 2 W
Tranzisztorkonfiguráció = Izolált
Maximális kapu forrásfeszültség = -20 V, +20 V
Elemek száma chipenként = 2
Magasság = 1.5mm

Kettős N/P-csatornás MOSFET Infineon. Az Infineon kettős teljesítmény MOSFET-jei két HEXFET® eszközt integrálnak, hogy helytakarékos, költséghatékony kapcsolási megoldást nyújtsanak a nagy komponens sűrűségű kialakításokban, ahol az alaplap térereje a csúcson van. Többféle csomag közül lehet választani, és a tervezők választhatják a kettős N/P csatorna konfigurációt.
További keresőfogalmak: 8793312, Félvezetők, Diszkrét félvezetők, MOSFET-ek, Infineon, IRF9389TRPBF
A kondíciók áttekintése1
Szállítási idő
Raktárkészlet
Nettó ár
raktáron raktáron
kezdő: HUF 81,00*
  
Az ár 8 000 db-től érvényes
Megrendelések csak a 25 db többszöröseként
Részletes információk
Cikk ajánlásaCikk megjegyzése
Sávos árak
Rendelési mennyiség
Nettó
Bruttó
Egység
kezdő: 25 db
HUF 165,00*
HUF 210,00
db-ként
kezdő: 250 db
HUF 102,00*
HUF 130,00
db-ként
kezdő: 2000 db
HUF 85,00*
HUF 108,00
db-ként
kezdő: 4000 db
HUF 83,00*
HUF 105,00
db-ként
kezdő: 8000 db
HUF 81,00*
HUF 103,00
db-ként
* A csillaggal jelölt árak nettó árak, jogilag érvényes ÁFA nélkül.
Ajánlatunk kizárólag vállalatoknak, vállalkozóknak és szabadfoglalkozásúaknak szól.