Kategóriák
»A Mercateo-rólÜdvözöljük! Bejelentkezni
Az én Mercateom
Kosár
 
 

MOSFET, 2 elem/chip, 9,2 A, 30 V, 8-tüskés, SOIC HEXFET Izolált Si


Mennyiség:  db  
Termékinformációk
Product Image
Product Image
Cikkszám:
     1090E-913-4777
Gyártó:
     Infineon
Gyártói szám:
     IRF9358TRPBF
EAN/GTIN:
     5059043341781
Keresőfogalmak:
HEXFET
Teljesítmény tranzisztor
MOSFET
MOSFET-tranzisztor
Csatorna típusa = P
Maximális folyamatos nyelőáram = 9,2 A
Maximális nyelő forrásfeszültség = 30 V
Csomag típusa = SOIC
Rögzítés típusa = Felületre szerelhető
Tüskék száma = 8
Maximális nyelő forrásellenállás = 23.8 mΩ
Csatorna mód = Növekményes
Maximális kapu küszöbfeszültség = 2.4V
Minimális kapu küszöbfeszültség = 1.3V
Maximális teljesítménydisszipáció = 2 W
Tranzisztorkonfiguráció = Izolált
Maximális kapu forrásfeszültség = -20 V, +20 V
Elemek száma chipenként = 2
Tranzisztor anyaga = Si

P-csatornás MOSFET 30V, Infineon. Az Infineon diszkrét HEXFET® teljesítmény MOSFET-jeinek kínálata P-csatornás eszközöket tartalmaz felületszerelt és ólmozott csomagokba és olyan formátumokat tartalmaz, amelyek képesek kielégíteni az alaplap szinte bármilyen elrendezését és a termikus tervezési kihívást. Az ellenállás méretében a termékskála alapján csökkenő vezetési veszteség érhető el, ami lehetővé teszi a tervezők számára a rendszer optimális hatékonyságát.
További keresőfogalmak: teljesítmény tranzisztor, 9134777, Félvezetők, Diszkrét félvezetők, MOSFET-ek, Infineon, IRF9358TRPBF
A kondíciók áttekintése1
Szállítási idő
Raktárkészlet
Nettó ár
HUF 223,00*
  
Az ár 4 000 db-től érvényes
Megrendelések csak a 4 000 db többszöröseként
Részletes információk
Cikk ajánlásaCikk megjegyzése
* A csillaggal jelölt árak nettó árak, jogilag érvényes ÁFA nélkül.
Ajánlatunk kizárólag vállalatoknak, vállalkozóknak és szabadfoglalkozásúaknak szól.