MOSFET, 1 elem/chip, 2,5 A, 1500 V, 3-tüskés, H2PAK-2 MDmesh Egyszeres Si

Mennyiség:

Termékinformációk

Cikkszám:
4GUDN-1032012

Gyártói szám:
STH3N150-2

EAN/GTIN:
5059042297010

Keresőfogalmak:

N-Channel MDmesh™, 800 V/1500 V, STMicroelectronics

További információk:


Csatorna típusa:	N
Maximális folyamatos nyelőáram:	2,5 A
Maximális nyelő forrásfeszültség:	1500 V
Csomag típusa:	H2PAK-2
Sorozat:	MDmesh
Rögzítés típusa:	Felületre szerelhető
Tüskék száma:	3
Maximális nyelő forrásellenállás:	9 Ω
Csatorna mód:	Növekményes
Maximális kapu küszöbfeszültség:	5V
Minimális kapu küszöbfeszültség:	3V
Maximális teljesítménydisszipáció:	140 W
Tranzisztorkonfiguráció:	Egyszeres
Maximális kapu forrásfeszültség:	-30 V, +30 V
Hossz:	10.4mm

További keresőfogalmak: 1032012, Félvezetők, Diszkrét félvezetők, MOSFET-ek, STMicroelectronics, STH3N1502

A kondíciók áttekintése¹

Szállítási idő

Raktárkészlet

Nettó ár

kezdő: HUF 998,00*

Az ár 500 000 db-től érvényes

Megrendelések csak a 1 000 db többszöröseként

Sávos árak

* A csillaggal jelölt árak nettó árak, jogilag érvényes ÁFA nélkül.

Ajánlatunk kizárólag vállalatoknak, vállalkozóknak és szabadfoglalkozásúaknak szól.