MOSFET, 1 elem/chip, 560 mA, 30 V, 3-tüskés, SOT-23 Egyszeres Si

Mennyiség:

csomagok

Termékinformációk

Cikkszám:
4GUDN-1216308

Gyártó:
onsemi

Gyártói szám:
NTR4003NT3G

EAN/GTIN:
5059042541625

Keresőfogalmak:

N-csatornás MOSFET, 30 V on Semiconductor

További információk:


Csatorna típusa:	N
Maximális folyamatos nyelőáram:	560 mA
Maximális nyelő forrásfeszültség:	30 V
Csomag típusa:	SOT-23
Rögzítés típusa:	Felületre szerelhető
Tüskék száma:	3
Maximális nyelő forrásellenállás:	2 Ω
Csatorna mód:	Növekményes
Maximális kapu küszöbfeszültség:	1.4V
Maximális teljesítménydisszipáció:	830 mW
Tranzisztorkonfiguráció:	Egyszeres
Maximális kapu forrásfeszültség:	-20 V, +20 V
Hossz:	3.04mm
Maximális működési hőmérséklet:	+150 °C
Elemek száma chipenként:	1

További keresőfogalmak: 1216308, Félvezetők, Diszkrét félvezetők, MOSFET-ek, onsemi, NTR4003NT3G

A kondíciók áttekintése¹

Szállítási idő

Raktárkészlet

Nettó ár

kezdő: HUF 82,43*

Az ár 1 000 000 csomagok-től érvényes

1 csomag tartalmaz 5 db (kezdő: HUF 16,486* db-ként)

Megrendelések csak a 2 000 csomagok többszöröseként

Sávos árak

* A csillaggal jelölt árak nettó árak, jogilag érvényes ÁFA nélkül.

Ajánlatunk kizárólag vállalatoknak, vállalkozóknak és szabadfoglalkozásúaknak szól.