MOSFET, 2 elem/chip, 115 mA, 60 V, 6-tüskés, SOT-363 Izolált Si

Mennyiség:

csomag

Termékinformációk

Cikkszám:
4GUDN-1219438

Gyártó:
Diodes

Gyártói szám:
2N7002DW-7-F

EAN/GTIN:
5059043264660

Keresőfogalmak:

Két N-csatornás MOSFET, Diodes Inc.

További információk:


Csatorna típusa:	N
Maximális folyamatos nyelőáram:	115 mA
Maximális nyelő forrásfeszültség:	60 V
Csomag típusa:	SOT-363
Rögzítés típusa:	Felületre szerelhető
Tüskék száma:	6
Maximális nyelő forrásellenállás:	13,5 Ω
Csatorna mód:	Növekményes
Maximális kapu küszöbfeszültség:	2V
Maximális teljesítménydisszipáció:	200 mW
Tranzisztorkonfiguráció:	Izolált
Maximális kapu forrásfeszültség:	-20 V, +20 V
Hossz:	2.2mm
Maximális működési hőmérséklet:	+150 °C
Elemek száma chipenként:	2

További keresőfogalmak: 1219438, Félvezetők, Diszkrét félvezetők, MOSFET-ek, DiodesZetex, 2N7002DW7F

A kondíciók áttekintése¹

Szállítási idő

Raktárkészlet

Nettó ár

kezdő: HUF 37 971,00*

Az ár 500 csomagok-től érvényes

1 csomag tartalmaz 3 000 db (kezdő: HUF 12,657* db-ként)

Sávos árak

* A csillaggal jelölt árak nettó árak, jogilag érvényes ÁFA nélkül.

Ajánlatunk kizárólag vállalatoknak, vállalkozóknak és szabadfoglalkozásúaknak szól.