MOSFET, 1 elem/chip, 12 A, 30 V, 8-tüskés, SOIC Egyszeres Si

Mennyiség:

Termékinformációk

Cikkszám:
4GUDN-1219544

Gyártó:
Diodes

Gyártói szám:
DMG4413LSS-13

EAN/GTIN:
5059043265544

Keresőfogalmak:

P-csatornás MOSFET, 30 V, diódák, Beleértve

További információk:


Csatorna típusa:	P
Maximális folyamatos nyelőáram:	12 A
Maximális nyelő forrásfeszültség:	30 V
Csomag típusa:	SOIC
Rögzítés típusa:	Felületre szerelhető
Tüskék száma:	8
Maximális nyelő forrásellenállás:	10.2 mΩ
Csatorna mód:	Növekményes
Maximális kapu küszöbfeszültség:	2.1V
Maximális teljesítménydisszipáció:	2,2 W
Tranzisztorkonfiguráció:	Egyszeres
Maximális kapu forrásfeszültség:	-20 V, +20 V
Hossz:	4.95mm
Maximális működési hőmérséklet:	+150 °C
Elemek száma chipenként:	1

További keresőfogalmak: 1219544, Félvezetők, Diszkrét félvezetők, MOSFET-ek, DiodesZetex, DMG4413LSS13

A kondíciók áttekintése¹

Szállítási idő

Raktárkészlet

Nettó ár

kezdő: HUF 124,00*

Az ár 1 250 000 db-től érvényes

Megrendelések csak a 2 500 db többszöröseként

Sávos árak

* A csillaggal jelölt árak nettó árak, jogilag érvényes ÁFA nélkül.

Ajánlatunk kizárólag vállalatoknak, vállalkozóknak és szabadfoglalkozásúaknak szól.