MOSFET, 1 elem/chip, 3,3 A, 20 V, 3-tüskés, SOT-23 Egyszeres Si

Mennyiség:

Termékinformációk

Cikkszám:
4GUDN-1219640

Gyártó:
Diodes

Gyártói szám:
DMG2305UX-7

EAN/GTIN:
5059043264400

Keresőfogalmak:

P-csatornás MOSFET, 12 V - 25 V, diódák, Beleértve

További információk:


Csatorna típusa:	P
Maximális folyamatos nyelőáram:	3,3 A
Maximális nyelő forrásfeszültség:	20 V
Csomag típusa:	SOT-23
Rögzítés típusa:	Felületre szerelhető
Tüskék száma:	3
Maximális nyelő forrásellenállás:	200 mΩ
Csatorna mód:	Növekményes
Maximális kapu küszöbfeszültség:	0.9V
Maximális teljesítménydisszipáció:	1,4 W
Tranzisztorkonfiguráció:	Egyszeres
Maximális kapu forrásfeszültség:	-8 V, +8 V
Hossz:	3mm
Maximális működési hőmérséklet:	+150 °C
Elemek száma chipenként:	1

További keresőfogalmak: 1219640, Félvezetők, Diszkrét félvezetők, MOSFET-ek, DiodesZetex, DMG2305UX7

A kondíciók áttekintése¹

Szállítási idő

Raktárkészlet

Nettó ár

kezdő: HUF 15,00*

Az ár 1 500 000 db-től érvényes

Megrendelések csak a 3 000 db többszöröseként

Sávos árak

* A csillaggal jelölt árak nettó árak, jogilag érvényes ÁFA nélkül.

Ajánlatunk kizárólag vállalatoknak, vállalkozóknak és szabadfoglalkozásúaknak szól.