MOSFET, 1 elem/chip, 4,9 A, 20 V, 3-tüskés, SOT-23 Egyszeres Si

Mennyiség:

csomag

Termékinformációk

Cikkszám:
4GUDN-1220606

Gyártó:
Diodes

Gyártói szám:
ZXMN2F30FHTA

EAN/GTIN:
5059043273099

Keresőfogalmak:

N-csatornás MOSFET, 12 V - 28 V, diódák, Beleértve

További információk:


Csatorna típusa:	N
Maximális folyamatos nyelőáram:	4,9 A
Maximális nyelő forrásfeszültség:	20 V
Csomag típusa:	SOT-23
Rögzítés típusa:	Felületre szerelhető
Tüskék száma:	3
Maximális nyelő forrásellenállás:	65 mΩ
Csatorna mód:	Növekményes
Maximális kapu küszöbfeszültség:	1.5V
Maximális teljesítménydisszipáció:	1,4 W
Tranzisztorkonfiguráció:	Egyszeres
Maximális kapu forrásfeszültség:	-12 V, +12 V
Hossz:	3.04mm
Maximális működési hőmérséklet:	+150 °C
Elemek száma chipenként:	1

További keresőfogalmak: 1220606, Félvezetők, Diszkrét félvezetők, MOSFET-ek, DiodesZetex, ZXMN2F30FHTA

A kondíciók áttekintése¹

Szállítási idő

Raktárkészlet

Nettó ár

kezdő: HUF 125 844,00*

Az ár 500 csomagok-től érvényes

1 csomag tartalmaz 3 000 db (kezdő: HUF 41,948* db-ként)

Sávos árak

* A csillaggal jelölt árak nettó árak, jogilag érvényes ÁFA nélkül.

Ajánlatunk kizárólag vállalatoknak, vállalkozóknak és szabadfoglalkozásúaknak szól.