MOSFET, 1 elem/chip, 27,6 A, 650 V, 3-tüskés, TO-220 DTMOSIV Si

Mennyiség:

Termékinformációk

Cikkszám:
4GUDN-1250560

Gyártó:
Toshiba

Gyártói szám:
TK28E65W,S1X(S

EAN/GTIN:
5059041157445

Keresőfogalmak:

MOSFET N-csatornás, Toshiba sorozat, TK2x sorozat

További információk:


Csatorna típusa:	N
Maximális folyamatos nyelőáram:	27,6 A
Maximális nyelő forrásfeszültség:	650 V
Csomag típusa:	TO-220
Sorozat:	DTMOSIV
Rögzítés típusa:	Furatszerelt
Tüskék száma:	3
Maximális nyelő forrásellenállás:	110 mΩ
Csatorna mód:	Növekményes
Maximális kapu küszöbfeszültség:	3.5V
Minimális kapu küszöbfeszültség:	2.5V
Maximális teljesítménydisszipáció:	230 W
Maximális kapu forrásfeszültség:	-30 V, +30 V
Hossz:	10.16mm
Maximális működési hőmérséklet:	+150 °C

További keresőfogalmak: 1250560, Félvezetők, Diszkrét félvezetők, MOSFET-ek, Toshiba, TK28E65W,S1X(S

A kondíciók áttekintése¹

Szállítási idő

Raktárkészlet

Nettó ár

kezdő: HUF 842,00*

Az ár 15 000 db-től érvényes

Megrendelések csak a 2 db többszöröseként

Sávos árak

* A csillaggal jelölt árak nettó árak, jogilag érvényes ÁFA nélkül.

Ajánlatunk kizárólag vállalatoknak, vállalkozóknak és szabadfoglalkozásúaknak szól.