MOSFET, 1 elem/chip, 9,3 A, 650 V, 3-tüskés, TO-220SIS DTMOSIV Si

Mennyiség:

csomag

Termékinformációk

Cikkszám:
4GUDN-1250600

Gyártó:
Toshiba

Gyártói szám:
TK9A65W,S5X(M

EAN/GTIN:
5059041076326

Keresőfogalmak:

MOSFET N-csatornás, Toshiba8 és TK9 sorozatú Toshiba

További információk:


Csatorna típusa:	N
Maximális folyamatos nyelőáram:	9,3 A
Maximális nyelő forrásfeszültség:	650 V
Csomag típusa:	TO-220SIS
Sorozat:	DTMOSIV
Rögzítés típusa:	Furatszerelt
Tüskék száma:	3
Maximális nyelő forrásellenállás:	500 mΩ
Csatorna mód:	Növekményes
Maximális kapu küszöbfeszültség:	3.5V
Minimális kapu küszöbfeszültség:	2.5V
Maximális teljesítménydisszipáció:	30 W
Maximális kapu forrásfeszültség:	-30 V, +30 V
Hossz:	10mm
Maximális működési hőmérséklet:	+150 °C

További keresőfogalmak: 1250600, Félvezetők, Diszkrét félvezetők, MOSFET-ek, Toshiba, TK9A65W,S5X(M

A kondíciók áttekintése¹

Szállítási idő

Raktárkészlet

Nettó ár

kezdő: HUF 1 154,00*

Az ár 7 500 csomagok-től érvényes

1 csomag tartalmaz 5 db (kezdő: HUF 230,80* db-ként)

Sávos árak

* A csillaggal jelölt árak nettó árak, jogilag érvényes ÁFA nélkül.

Ajánlatunk kizárólag vállalatoknak, vállalkozóknak és szabadfoglalkozásúaknak szól.