MOSFET, 1 elem/chip, 6,8 A, 650 V, 3-tüskés, DPAK (TO-252) DTMOSIV Egyszeres Si

Mennyiség:

Termékinformációk

Cikkszám:
4GUDN-1332801

Gyártó:
Toshiba

Gyártói szám:
TK7P65W,RQ(S

EAN/GTIN:
5059041590938

Keresőfogalmak:

MOSFET N-Channel, TK6 és TK7 sorozat Toshiba

További információk:


Csatorna típusa:	N
Maximális folyamatos nyelőáram:	6,8 A
Maximális nyelő forrásfeszültség:	650 V
Csomag típusa:	DPAK (TO-252)
Sorozat:	DTMOSIV
Rögzítés típusa:	Felületre szerelhető
Tüskék száma:	3
Maximális nyelő forrásellenállás:	800 mΩ
Csatorna mód:	Növekményes
Maximális kapu küszöbfeszültség:	3.5V
Minimális kapu küszöbfeszültség:	2.5V
Maximális teljesítménydisszipáció:	60 W
Tranzisztorkonfiguráció:	Egyszeres
Maximális kapu forrásfeszültség:	-30 V, +30 V
Hossz:	6.6mm

További keresőfogalmak: 1332801, Félvezetők, Diszkrét félvezetők, MOSFET-ek, Toshiba, TK7P65W,RQ(S

A kondíciók áttekintése¹

Szállítási idő

Raktárkészlet

Nettó ár

kezdő: HUF 85,00*

Az ár 75 000 db-től érvényes

Megrendelések csak a 10 db többszöröseként

Sávos árak

* A csillaggal jelölt árak nettó árak, jogilag érvényes ÁFA nélkül.

Ajánlatunk kizárólag vállalatoknak, vállalkozóknak és szabadfoglalkozásúaknak szól.