MOSFET, 1 elem/chip, 100 A, 30 V, 8-tüskés, PowerPAK SO-8 TrenchFET Egyszeres

Mennyiség:

csomag

Termékinformációk

Cikkszám:
4GUDN-1349165

Gyártó:
Vishay

Gyártói szám:
SIRA90DP-T1-RE3

EAN/GTIN:
5059040660885

Keresőfogalmak:

N-csatornás MOSFET, TrentchFET Gen IV, Vishay Semiconductor

További információk:


Csatorna típusa:	N
Maximális folyamatos nyelőáram:	100 A
Maximális nyelő forrásfeszültség:	30 V
Csomag típusa:	PowerPAK SO-8
Sorozat:	TrenchFET
Rögzítés típusa:	Felületre szerelhető
Tüskék száma:	8
Maximális nyelő forrásellenállás:	1.15 mΩ
Csatorna mód:	Növekményes
Maximális kapu küszöbfeszültség:	2V
Minimális kapu küszöbfeszültség:	0.8V
Maximális teljesítménydisszipáció:	104 W
Tranzisztorkonfiguráció:	Egyszeres
Maximális kapu forrásfeszültség:	+20 V
Hossz:	6.25mm

További keresőfogalmak: 1349165, Félvezetők, Diszkrét félvezetők, MOSFET-ek, Vishay, SIRA90DPT1RE3

A kondíciók áttekintése¹

Szállítási idő

Raktárkészlet

Nettó ár

kezdő: HUF 629 143,02*

Az ár 500 csomagok-től érvényes

1 csomag tartalmaz 3 000 db (kezdő: HUF 209,71434* db-ként)

Sávos árak

* A csillaggal jelölt árak nettó árak, jogilag érvényes ÁFA nélkül.

Ajánlatunk kizárólag vállalatoknak, vállalkozóknak és szabadfoglalkozásúaknak szól.