MOSFET, 1 elem/chip, 3,7 A, 200 V, 3-tüskés, IPAK (TO-251) QFET Egyszeres Si

QFET® P-csatornás MOSFET, Fairchild Semiconductor. A Fairchild Semiconductor új QFET® síkú MOSFET-jei Advanced, saját fejlesztésű technológiát alkalmaznak a kategóriájában legjobb működési teljesítmény eléréséhez, amely a tápegységek széles köréhez, a PFC (teljesítménytényező-korrekció), DC-DC átalakítók, a plazmatelépítők (PDP), a világítás és a mozgásvezérlés révén érhető el. Alacsonyabb be- és kikapcsolódási veszteséget kínálnak, mivel csökkentik az ellenállást (RDS(on))), valamint csökkentik a kapcsolóveszteséget a kapuköltségek (Qg) és a kimeneti kapacitás (Coss) csökkentésével. A Advanced QFET® process technológiával a Fairchild nagyobb érdemeket (FOM) kínál a konkurens síkú MOSFET eszközökhöz képest.