MOSFET, 1 elem/chip, 120 A, 650 V, 3-tüskés, TO-264P HiperFET Egyszeres

N-csatornás MOSFET, IXYS HiPerFET™ X2 sorozat. Az IXYS X2 osztályú HiPerFET Power MOSFET sorozatok a teljesítmény MOSFET korábbi generációihoz képest jelentősen csökkentett ellenállással és kaputöltéssel rendelkeznek, ami csökkent veszteséget és jobb működési hatékonyságot eredményez. Ezek a megerősített kivitelű készülékek nagyobb sebességű belső diódával rendelkeznek, és alkalmasak mind a kemény kapcsolású, mind a rezonáns módú alkalmazásokhoz. Az X2 osztályú teljesítmény MOSFET-ek a különböző iparági szabványnak megfelelő csomagolásban érhetők el, beleértve az izolált típusokat is, amelyek legénységi teljesítménye legfeljebb 120 A lehet 650V-nál Jellemző felhasználási területek: DC-DC átalakítók, AC és DC motormeghajtók, kapcsolási üzemmód és rezonáns üzemmódú tápegységek, DC-Koppantók, napinverterek, hőmérséklet- és világításvezérlés. Nagyon alacsony RDS(on) és QG (kapufeltöltés) Gyors belső egyenirányító dióda Alacsony belső kapu ellenállás Alacsony csomag-induktivitás Iparági szabványnak megfelelő csomagolás