MOSFET, 1 elem/chip, 3,2 A, -12 V, 4-tüskés, DFN1010D-3 Egyszeres

P csatornás MOSFET-ek; a tökéletes megoldás az Ön tervezőmunkájához, ha az N csatornák egyszerűen nem megfelelőek; kiterjedt MOSFET-katalógusunk emellett számos P csatornás készülékcsaládot tartalmaz, amelyek a Nexperia vezető Trench technológiáján alapulnak. Névleges teljesítmény 12 V és 70 V között, alacsony és közepes teljesítményű csomagokba zárva, a nagymértékű hatékonyság és a nagymértékű megbízhatóság esetünkben már jól ismert ötvözetét biztosítva.12 V, P csatornás Trench MOSFET, P csatornás, javítási módú térvezérlésű tranzisztor (FET) ólommentes, ultrakicsi DFN1010D-3 (SOT1215) típusú, felületre szerelt készüléket (SMD) tartalmazó műanyag csomagban, a Trench MOSFET technológia felhasználásával.Trench MOSFET technológia Ólommentes, ultrakicsi és ultravékony SMD műanyag csomag: 1,1 x 1,0 x 0,37 mm Szabadon álló elvezető lap a kiváló hővezetés érdekében Elektrosztatikus kisüléssel szembeni (ESD) védelem 1,5 kV HBM Az elvezetőforrás bekapcsolt állapotú ellenállása RDSon = 59 mΩ Nagyon alacsony kapu–forrás küszöbfeszültség hordozható alkalmazásokhoz VGS(th) = -0,68 V