MOSFET, 2 elem/chip, 600 mA, 20 V, 8-tüskés, DFN1010B-6

N csatornás MOSFET-ek ≤20 V; tegyen szert az optimális kapcsolási megoldásokra a hordozható kialakítások esetében; válasszon az egyszeres és kettős N csatornás MOSFET-ek széles választékából, 20 V-ig. Nagymértékű megbízhatóság a megbízható TrenchMOS és csomagtechnológiáknak köszönhetően. Az egyszerűen használható, alacsony feszültségű MOSFET-eink célja, hogy az alacsony meghajtási feszültségekkel specifikusan megfeleljenek a hordozható alkalmazások követelményeinek.20 V, kettős N csatornás Trench MOSFET, kettős N csatornás, javítási módú térvezérlésű tranzisztor (FET) ólommentes, ultrakicsi DFN1010B-6 (SOT1216) típusú, felületre szerelt készüléket (SMD) tartalmazó műanyag csomagban, a Trench MOSFET technológia felhasználásával.Trench MOSFET technológia Ólommentes, ultrakicsi és ultravékony SMD műanyag csomag: 1,1 x 1,0 x 0,37 mm Szabadon álló elvezető lap a kiváló hővezetés érdekében Elektrosztatikus kisüléssel szembeni (ESD) védelem > 1 kV HBM Az elvezetőforrás bekapcsolt állapotú ellenállása RDSon = 470 mΩ