MOSFET, 2 elem/chip, 500 mA, -20 V, 8-tüskés, DFN1010B-6

P-csatornás MOSFET-ek – A tökéletes megoldás tervéhez, ha az N-csatornák egyszerűen nem megfelelők. A MOSFET-katalógusunkban számos, a Nexperia piacvezető Trench technológiáján alapuló P-csatornás eszközcsalád is található. 12 V és 70 V közötti feszültségükkel, illetve kis és közepes teljesítményű csomagjaikban ezek a termékek magas hatékonyságot és kiváló megbízhatóságot kínálnak.20 V-os, kettős, P-csatornás Trench MOSFET – A kettős, P-csatornás kiterjesztési módú, térvezérlésű tranzisztor (FET) egy rendkívül kis méretű, vezetékmentes DFN1010B-6 (SOT1216) SMD (felületre szerelhető eszköz) műanyag csomagolásban kapható, és a Trench MOSFET technológiát alkalmazza.Alacsony áramszivárgás Trench MOSFET technológia Vezetékmentes, rendkívül kicsi és vékony SMD műanyag csomagolás: 1,1 x 1,0 x 0,37 mm Szabadon álló elvezető párna a kiváló hővezetésért Elektrosztatikus kisülés (ESD) elleni védelem: > 1 kV HBM Elvezetőforrás ellenállása bekapcsolt állapotban: RDSon = 1,02 Ω Relémeghajtó Nagy sebességű vonali meghajtó Magas oldalú terheléskapcsoló Kapcsoló áramkörök