MOSFET, 2 elem/chip, 260 mA, 60 V, 8-tüskés, DFN1010B-6

N-csatornás MOSFET-ek, 40–60 V – Logikai és szabványos szintű MOSFET-ek különféle csomagolásban. Próbálja ki a robusztus és egyszerűen használható, 40 V-os és 60 V-os tartományban működő, a masszív MOSFET-portfóliónkba tartozó MOSFET-jeinket. Tökéletesek tér- és energiakritikus alkalmazásokhoz, kiváló kapcsolási teljesítményt és a kategóriában vezető biztonságos működési tartományt (SOA) biztosítva.60 V-os, kettős, N-csatornás Trench MOSFET – A kettős, N-csatornás kiterjesztési módú, térvezérlésű tranzisztor (FET) egy rendkívül kis méretű, vezetékmentes DFN1010B-6 (SOT1216) SMD (felületre szerelhető eszköz) műanyag csomagolásban kapható, és a Trench MOSFET technológiát alkalmazza.Logikai szinttel kompatibilis Vezetékmentes, rendkívül kicsi és vékony SMD műanyag csomagolás: 1,1 x 1,0 x 0,37 mm Trench MOSFET technológia Elektrosztatikus kisülés (ESD) elleni védelem: > 2 kV HBM Relémeghajtó Nagy sebességű vonali meghajtó Alacsony oldalú terheléskapcsoló Kapcsoló áramkörök