MOSFET, 1 elem/chip, 2,9 A, 20 V, 4-tüskés, DFN1010D-3, SOT1215 Egyszeres

20 V-os, P-csatornás Trench MOSFET – A P-csatornás kiterjesztési módú, térvezérlésű tranzisztor (FET) egy rendkívül kis méretű, vezetékmentes DFN1010D-3 (SOT1215) SMD (felületre szerelhető eszköz) műanyag csomagolásban kapható, és a Trench MOSFET technológiát alkalmazza.Trench MOSFET technológia Vezetékmentes, rendkívül kicsi és vékony SMD műanyag csomagolás: 1,1 x 1,0 x 0,37 mm Szabadon álló elvezető párna a kiváló hővezetésért Elektrosztatikus kisülés (ESD) elleni védelem: 1,5 kV HBM Elvezetőforrás ellenállása bekapcsolt állapotban: RDSon = 69 mΩ Nagyon alacsony kapuforrás-küszöbértékű feszültség a hordozható alkalmazásokhoz: VGS(th) = -0,68 V Magas oldalú terheléskapcsoló és töltéskapcsoló hordozható eszközökhöz Energiagazdálkodás akkumulátoros hordozható eszközöknél LED meghajtó DC-DC átalakító