MOSFET, 1 elem/chip, 59 A, 100 V, 3-tüskés, D2PAK (TO-263) IRF3710ZS Egyszeres

A HEXFET® Power MOSFET a legmodernebb feldolgozási technikákat alkalmazza a szilikonterületenkénti rendkívül alacsony bekapcsolási ellenállás eléréséhez. A kialakítás további jellemzői közé tartozik a 175 °C-os működési hőmérséklet, a gyors kapcsolási sebesség és továbbfejlesztett ismétlődő lavinaképesség. Együtt ezek a funkciók egy rendkívül hatékony és megbízható eszközt alkotnak az autóipari és számos más alkalmazáshozFejlett folyamattechnológia Rendkívül alacsony bekapcsolt állapotú ellenállás Dinamikus dv/dt 175 °C-os üzemi hőmérséklet Kapcsoló, gyors Az ismételt lavina Tjmax-ig engedélyezve Ólommentes