Kategóriák
Az én Mercateóm
bejelentkezés / regisztráció
Kosár
 
 

MOSFET, 1 elem/chip, 89 A, 75 V, 3-tüskés, D2PAK (TO-263) HEXFET Egyszeres Si


Mennyiség:  db  
Termékinformációk
Product Image
Product Image
Additonal Images
Cikkszám:
     4GUDN-1655889
Gyártó:
     Infineon
Gyártói szám:
     IRF2807ZSTRLPBF
EAN/GTIN:
     nincs adat
Keresőfogalmak:
Teljesítmény-MOSFET
MOSFET
MOSFET-tranzisztor
N-csatornás MOSFET 60V - 80 V Infineon. Az Infineon diszkrét HEXFET® teljesítmény MOSFET És olyan kialakítások, amelyek segítségével szinte bármilyen alaplapelrendezés és termikus tervezési feladat megoldható. Az ellenállás méretében a termékskála alapján csökkenő vezetési veszteség érhető el, ami lehetővé teszi a tervezők számára a rendszer optimális hatékonyságát.
További információk:
Csatorna típusa:
N
Maximális folyamatos nyelőáram:
89 A
Maximális nyelő forrásfeszültség:
75 V
Csomag típusa:
D2PAK (TO-263)
Sorozat:
HEXFET
Rögzítés típusa:
Felületre szerelhető
Tüskék száma:
3
Maximális nyelő forrásellenállás:
9,4 mΩ
Csatorna mód:
Növekményes
Maximális kapu küszöbfeszültség:
4V
Minimális kapu küszöbfeszültség:
2V
Maximális teljesítménydisszipáció:
170 W
Tranzisztorkonfiguráció:
Egyszeres
Maximális kapu forrásfeszültség:
-20 V, +20 V
Hossz:
10.67mm
További keresőfogalmak: 1655889, Félvezetők, Diszkrét félvezetők, MOSFET-ek, Infineon, IRF2807ZSTRLPBF
A kondíciók áttekintése1
Szállítási idő
Raktárkészlet
Nettó ár
kezdő: HUF 323,00*
  
Az ár 400 000 db-től érvényes
Megrendelések csak a 800 db többszöröseként
Részletes információk
Cikk megosztásaCikk hozzáadása a bevásárlólistához
Sávos árak
Rendelési mennyiség
Nettó
Bruttó
Egység
kezdő: 800 db
HUF 368,00*
HUF 467,00
db-ként
kezdő: 1600 db
HUF 346,00*
HUF 439,00
db-ként
kezdő: 4000 db
HUF 340,00*
HUF 432,00
db-ként
kezdő: 8000 db
HUF 334,00*
HUF 424,00
db-ként
kezdő: 400000 db
HUF 323,00*
HUF 410,00
db-ként
* A csillaggal jelölt árak nettó árak, jogilag érvényes ÁFA nélkül.
Ajánlatunk kizárólag vállalatoknak, vállalkozóknak és szabadfoglalkozásúaknak szól.