MOSFET, 1 elem/chip, 4 A, 200 V, 3-tüskés, D2PAK (TO-263) Egyszeres Si

Mennyiség:

csomag

Termékinformációk

Cikkszám:
4GUDN-1656000

Gyártó:
Vishay

Gyártói szám:
SIHF9630STRL-GE3

EAN/GTIN:
5059040733503

Keresőfogalmak:

P-csatornás MOSFET, 100 V - 400 V, Vishay Semiconductor

További információk:


Csatorna típusa:	P
Maximális folyamatos nyelőáram:	4 A
Maximális nyelő forrásfeszültség:	200 V
Csomag típusa:	D2PAK (TO-263)
Rögzítés típusa:	Felületre szerelhető
Tüskék száma:	3
Maximális nyelő forrásellenállás:	800 mΩ
Csatorna mód:	Növekményes
Minimális kapu küszöbfeszültség:	2V
Maximális teljesítménydisszipáció:	74 W
Tranzisztorkonfiguráció:	Egyszeres
Maximális kapu forrásfeszültség:	-20 V, +20 V
Hossz:	10.67mm
Maximális működési hőmérséklet:	+150 °C
Elemek száma chipenként:	1

További keresőfogalmak: 1656000, Félvezetők, Diszkrét félvezetők, MOSFET-ek, Vishay, SIHF9630STRLGE3

A kondíciók áttekintése¹

Szállítási idő

Raktárkészlet

Nettó ár

kezdő: HUF 185 623,20*

Az ár 500 csomagok-től érvényes

1 csomag tartalmaz 800 db (kezdő: HUF 232,029* db-ként)

Sávos árak

* A csillaggal jelölt árak nettó árak, jogilag érvényes ÁFA nélkül.

Ajánlatunk kizárólag vállalatoknak, vállalkozóknak és szabadfoglalkozásúaknak szól.