Nyitólap > Elektronika, elektrotechnika > Aktív komponensek > Egyenirányítók, diódák, tranzisztorok > Tranzisztor > Teljesítmény tranzisztor > Cikk

AEC-Q101 MOSFET, 1 elem/chip, 6 A, 20 V, 3-tüskés, SOT-23 SQ Rugged Egyszeres Si

Mennyiség:

Termékinformációk

Cikkszám:
4GUDN-1656982

Gyártó:
Vishay

Gyártói szám:
SQ2310ES-T1_BE3

EAN/GTIN:
5059040651906

Keresőfogalmak:

Teljesítmény tranzisztor
MOSFET
MOSFET-tranzisztor
SMD-tranzisztor

AEC-Q101. N csatornás MOSFET, Robusztus SQ autóipari, Vishay Semiconductor. A Vishay Semiconductor SQ MOSFET-sorozatait az összes olyan autóipari alkalmazáshoz tervezték, ahol a zavartűrés a nagyfokú megbízhatóság szükséges. Az SQ Sorozatú Robusztus MOSFET-ek előnyei. AEC-Q101 minősített Elágazási hőmérséklet max. +175 °C-ig. Alacsony ellenállást mutató n- és p-csatornás TrentchFET® technológiák Innovatív, helytakarékos csomagok

További információk:


Csatorna típusa:	N
Maximális folyamatos nyelőáram:	6 A
Maximális nyelő forrásfeszültség:	20 V
Csomag típusa:	SOT-23
Sorozat:	SQ Rugged
Rögzítés típusa:	Felületre szerelhető
Tüskék száma:	3
Maximális nyelő forrásellenállás:	54 mΩ
Csatorna mód:	Növekményes
Minimális kapu küszöbfeszültség:	0.4V
Maximális teljesítménydisszipáció:	2 W
Tranzisztorkonfiguráció:	Egyszeres
Maximális kapu forrásfeszültség:	-8 V, +8 V
Hossz:	3.04mm
Maximális működési hőmérséklet:	+175 °C