MOSFET, 1 elem/chip, 53 A, 800 V, 4-tüskés, SOT-227 HiperFET, Polar Egyszeres Si

Mennyiség:

Termékinformációk

Cikkszám:
4GUDN-1684494

Gyártó:
IXYS

Gyártói szám:
IXFN60N80P

EAN/GTIN:
5059041341592

Keresőfogalmak:

N-csatornás MOSFET, IXYS HiperFET™ Polar™ sorozat. N csatornás teljesítmény MOSFET-ek gyors Belső diódával (HiPerFET™) az IXYS tartományból

További információk:


Csatorna típusa:	N
Maximális folyamatos nyelőáram:	53 A
Maximális nyelő forrásfeszültség:	800 V
Csomag típusa:	SOT-227
Sorozat:	HiperFET, Polar
Rögzítés típusa:	Csavaros rögzítés
Tüskék száma:	4
Maximális nyelő forrásellenállás:	140 mΩ
Csatorna mód:	Növekményes
Maximális kapu küszöbfeszültség:	5V
Maximális teljesítménydisszipáció:	1,04 kW
Tranzisztorkonfiguráció:	Egyszeres
Maximális kapu forrásfeszültség:	-30 V, +30 V
Hossz:	38.23mm
Maximális működési hőmérséklet:	+150 °C

További keresőfogalmak: 1684494, Félvezetők, Diszkrét félvezetők, MOSFET-ek, IXYS, IXFN60N80P

A kondíciók áttekintése¹

Szállítási idő

Raktárkészlet

Nettó ár

kezdő: HUF 13 261,00*

Az ár 5 000 db-től érvényes

Megrendelések csak a 10 db többszöröseként

Sávos árak

* A csillaggal jelölt árak nettó árak, jogilag érvényes ÁFA nélkül.

Ajánlatunk kizárólag vállalatoknak, vállalkozóknak és szabadfoglalkozásúaknak szól.