MOSFET, 1 elem/chip, 200 A, 100 V, 4-tüskés, SOT-227 Polar HiPerFET

Mennyiség:

csomag

Termékinformációk

Cikkszám:
4GUDN-1684576

Gyártó:
IXYS

Gyártói szám:
IXFN200N10P

EAN/GTIN:
5059041326506

Keresőfogalmak:

N-csatornás MOSFET, IXYS HiperFET™ Polar™ sorozat. N csatornás teljesítmény MOSFET-ek gyors Belső diódával (HiPerFET™) az IXYS tartományból

További információk:


Csatorna típusa:	N
Maximális folyamatos nyelőáram:	200 A
Maximális nyelő forrásfeszültség:	100 V
Csomag típusa:	SOT-227
Sorozat:	Polar HiPerFET
Rögzítés típusa:	Csavaros rögzítés
Tüskék száma:	4
Maximális nyelő forrásellenállás:	7,5 mΩ
Csatorna mód:	Növekményes
Maximális kapu küszöbfeszültség:	5V
Minimális kapu küszöbfeszültség:	3V
Maximális teljesítménydisszipáció:	680 W
Maximális kapu forrásfeszültség:	-20 V, +20 V
Hossz:	38.23mm
Maximális működési hőmérséklet:	+175 °C

További keresőfogalmak: 1684576, Félvezetők, Diszkrét félvezetők, MOSFET-ek, IXYS, IXFN200N10P

A kondíciók áttekintése¹

Szállítási idő

Raktárkészlet

Nettó ár

kezdő: HUF 94 281,10*

Az ár 500 csomagok-től érvényes

1 csomag tartalmaz 10 db (kezdő: HUF 9 428,11* db-ként)

Sávos árak

* A csillaggal jelölt árak nettó árak, jogilag érvényes ÁFA nélkül.

Ajánlatunk kizárólag vállalatoknak, vállalkozóknak és szabadfoglalkozásúaknak szól.