MOSFET, 1 elem/chip, 310 A, 150 V, 4-tüskés, SOT-227 GigaMOS TrenchT2 HiperFET

Mennyiség:

csomag

Termékinformációk

Cikkszám:
4GUDN-1684578

Gyártó:
IXYS

Gyártói szám:
IXFN360N15T2

EAN/GTIN:
5059041902304

Keresőfogalmak:

N csatornás MOSFET, IXYS HiperFET™ GigaMOS™ sorozat

További információk:


Csatorna típusa:	N
Maximális folyamatos nyelőáram:	310 A
Maximális nyelő forrásfeszültség:	150 V
Csomag típusa:	SOT-227
Sorozat:	GigaMOS TrenchT2 HiperFET
Rögzítés típusa:	Csavaros rögzítés
Tüskék száma:	4
Maximális nyelő forrásellenállás:	4 mΩ
Csatorna mód:	Növekményes
Maximális kapu küszöbfeszültség:	5V
Minimális kapu küszöbfeszültség:	2.5V
Maximális teljesítménydisszipáció:	1,07 kW
Maximális kapu forrásfeszültség:	-20 V, +20 V
Hossz:	38.23mm
Maximális működési hőmérséklet:	+175 °C

További keresőfogalmak: 1684578, Félvezetők, Diszkrét félvezetők, MOSFET-ek, IXYS, IXFN360N15T2

A kondíciók áttekintése¹

Szállítási idő

Raktárkészlet

Nettó ár

kezdő: HUF 151 370,30*

Az ár 500 csomagok-től érvényes

1 csomag tartalmaz 10 db (kezdő: HUF 15 137,03* db-ként)

Sávos árak

* A csillaggal jelölt árak nettó árak, jogilag érvényes ÁFA nélkül.

Ajánlatunk kizárólag vállalatoknak, vállalkozóknak és szabadfoglalkozásúaknak szól.