MOSFET, 1 elem/chip, 420 A, 100 V, 4-tüskés, SOT-227 GigaMOS Trench HiperFET

Mennyiség:

csomag

Termékinformációk

Cikkszám:
4GUDN-1684579

Gyártó:
IXYS

Gyártói szám:
IXFN420N10T

EAN/GTIN:
5059041339124

Keresőfogalmak:

N csatornás MOSFET, IXYS HiperFET™ GigaMOS™ sorozat

További információk:


Csatorna típusa:	N
Maximális folyamatos nyelőáram:	420 A
Maximális nyelő forrásfeszültség:	100 V
Csomag típusa:	SOT-227
Sorozat:	GigaMOS Trench HiperFET
Rögzítés típusa:	Csavaros rögzítés
Tüskék száma:	4
Maximális nyelő forrásellenállás:	2,3 mΩ
Csatorna mód:	Növekményes
Maximális kapu küszöbfeszültség:	5V
Minimális kapu küszöbfeszültség:	2.5V
Maximális teljesítménydisszipáció:	1,07 kW
Maximális kapu forrásfeszültség:	-20 V, +20 V
Hossz:	38.23mm
Maximális működési hőmérséklet:	+175 °C

További keresőfogalmak: 1684579, Félvezetők, Diszkrét félvezetők, MOSFET-ek, IXYS, IXFN420N10T

A kondíciók áttekintése¹

Szállítási idő

Raktárkészlet

Nettó ár

kezdő: HUF 109 052,10*

Az ár 500 csomagok-től érvényes

1 csomag tartalmaz 10 db (kezdő: HUF 10 905,21* db-ként)

Sávos árak

* A csillaggal jelölt árak nettó árak, jogilag érvényes ÁFA nélkül.

Ajánlatunk kizárólag vállalatoknak, vállalkozóknak és szabadfoglalkozásúaknak szól.