MOSFET, 1 elem/chip, 6,8 A, 650 V, 3-tüskés, DPAK (TO-252) CoolMOS™ CE

Mennyiség:

csomag

Termékinformációk

Cikkszám:
4GUDN-1685910

Gyártó:
Infineon

Gyártói szám:
IPD60R1K0CEAUMA1

EAN/GTIN:
5059043385969

Keresőfogalmak:

Infineon CoolMOS™ CE Power MOSFET

További információk:


Csatorna típusa:	N
Maximális folyamatos nyelőáram:	6,8 A
Maximális nyelő forrásfeszültség:	650 V
Csomag típusa:	DPAK (TO-252)
Sorozat:	CoolMOS™ CE
Rögzítés típusa:	Felületre szerelhető
Tüskék száma:	3
Maximális nyelő forrásellenállás:	1 Ω
Csatorna mód:	Növekményes
Maximális kapu küszöbfeszültség:	3.5V
Minimális kapu küszöbfeszültség:	2.5V
Maximális teljesítménydisszipáció:	61 W
Maximális kapu forrásfeszültség:	-30 V, +30 V
Hossz:	6.73mm
Maximális működési hőmérséklet:	+150 °C

További keresőfogalmak: 1685910, Félvezetők, Diszkrét félvezetők, MOSFET-ek, Infineon, IPD60R1K0CEAUMA1

A kondíciók áttekintése¹

Szállítási idő

Raktárkészlet

Nettó ár

kezdő: HUF 226 430,00*

Az ár 500 csomagok-től érvényes

1 csomag tartalmaz 2 500 db (kezdő: HUF 90,572* db-ként)

Sávos árak

* A csillaggal jelölt árak nettó árak, jogilag érvényes ÁFA nélkül.

Ajánlatunk kizárólag vállalatoknak, vállalkozóknak és szabadfoglalkozásúaknak szól.