MOSFET, 1 elem/chip, 4 A, 600 V, 3-tüskés, D2PAK (TO-263) MDmesh, SuperMESH Egyszeres Si

Mennyiség:

Termékinformációk

Cikkszám:
4GUDN-1686689

Gyártói szám:
STB4NK60ZT4

EAN/GTIN:
5059042352078

Keresőfogalmak:

N-Channel MDmesh™ SuperMESH™, 250 V - 650 V STMicroelectronics

További információk:


Csatorna típusa:	N
Maximális folyamatos nyelőáram:	4 A
Maximális nyelő forrásfeszültség:	600 V
Csomag típusa:	D2PAK (TO-263)
Sorozat:	MDmesh, SuperMESH
Rögzítés típusa:	Felületre szerelhető
Tüskék száma:	3
Maximális nyelő forrásellenállás:	2 Ω
Csatorna mód:	Növekményes
Maximális kapu küszöbfeszültség:	4.5V
Minimális kapu küszöbfeszültség:	3V
Maximális teljesítménydisszipáció:	70 W
Tranzisztorkonfiguráció:	Egyszeres
Maximális kapu forrásfeszültség:	-30 V, +30 V
Hossz:	10.4mm

További keresőfogalmak: 650v mosfet, 1686689, Félvezetők, Diszkrét félvezetők, MOSFET-ek, STMicroelectronics, STB4NK60ZT4

A kondíciók áttekintése¹

Szállítási idő

Raktárkészlet

Nettó ár

kezdő: HUF 288,00*

Az ár 500 000 db-től érvényes

Megrendelések csak a 1 000 db többszöröseként

Sávos árak

* A csillaggal jelölt árak nettó árak, jogilag érvényes ÁFA nélkül.

Ajánlatunk kizárólag vállalatoknak, vállalkozóknak és szabadfoglalkozásúaknak szól.