MOSFET, 1 elem/chip, 17 A, 650 V, 3-tüskés, D2PAK (TO-263) MDmesh Egyszeres Si

Mennyiség:

csomag

Termékinformációk

Cikkszám:
4GUDN-1687458

Gyártói szám:
STB24NM60N

EAN/GTIN:
5059042329155

Keresőfogalmak:

N-csatornás MDmesh™, 600 V/650 V, STMicroelectronics

További információk:


Csatorna típusa:	N
Maximális folyamatos nyelőáram:	17 A
Maximális nyelő forrásfeszültség:	650 V
Csomag típusa:	D2PAK (TO-263)
Sorozat:	MDmesh
Rögzítés típusa:	Felületre szerelhető
Tüskék száma:	3
Maximális nyelő forrásellenállás:	190 mΩ
Csatorna mód:	Növekményes
Maximális kapu küszöbfeszültség:	4V
Minimális kapu küszöbfeszültség:	2V
Maximális teljesítménydisszipáció:	125 W
Tranzisztorkonfiguráció:	Egyszeres
Maximális kapu forrásfeszültség:	-30 V, +30 V
Hossz:	10.75mm

További keresőfogalmak: 1687458, Félvezetők, Diszkrét félvezetők, MOSFET-ek, STMicroelectronics, STB24NM60N

A kondíciók áttekintése¹

Szállítási idő

Raktárkészlet

Nettó ár

kezdő: HUF 1 061 542,00*

Az ár 10 csomagok-től érvényes

1 csomag tartalmaz 1 000 db (kezdő: HUF 1 061,542* db-ként)

Sávos árak

* A csillaggal jelölt árak nettó árak, jogilag érvényes ÁFA nélkül.

Ajánlatunk kizárólag vállalatoknak, vállalkozóknak és szabadfoglalkozásúaknak szól.