MOSFET, 1 elem/chip, 9 A, 900 V, 3-tüskés, TO-3PN TK Egyszeres Si

Mennyiség:

csomag

Termékinformációk

Cikkszám:
4GUDN-1687789

Gyártó:
Toshiba

Gyártói szám:
TK9J90E

EAN/GTIN:
5059041340410

Keresőfogalmak:

MOSFET N-csatornás, Toshiba8 és TK9 sorozatú Toshiba

További információk:


Csatorna típusa:	N
Maximális folyamatos nyelőáram:	9 A
Maximális nyelő forrásfeszültség:	900 V
Csomag típusa:	TO-3PN
Sorozat:	TK
Rögzítés típusa:	Furatszerelt
Tüskék száma:	3
Maximális nyelő forrásellenállás:	1,3 Ω
Csatorna mód:	Növekményes
Maximális kapu küszöbfeszültség:	4V
Maximális teljesítménydisszipáció:	250 W
Tranzisztorkonfiguráció:	Egyszeres
Maximális kapu forrásfeszültség:	-30 V, +30 V
Hossz:	15.5mm
Maximális működési hőmérséklet:	+150 °C

További keresőfogalmak: 1687789, Félvezetők, Diszkrét félvezetők, MOSFET-ek, Toshiba, TK9J90E

A kondíciók áttekintése¹

Szállítási idő

Raktárkészlet

Nettó ár

kezdő: HUF 26 660,90*

Az ár 500 csomagok-től érvényes

1 csomag tartalmaz 25 db (kezdő: HUF 1 066,436* db-ként)

Sávos árak

* A csillaggal jelölt árak nettó árak, jogilag érvényes ÁFA nélkül.

Ajánlatunk kizárólag vállalatoknak, vállalkozóknak és szabadfoglalkozásúaknak szól.