MOSFET, 1 elem/chip, 9 A, 650 V, 3-tüskés, ITO-220 Egyszeres Si

Mennyiség:

Termékinformációk

Cikkszám:
4GUDN-1697185

Gyártó:
Diodes

Gyártói szám:
DMG9N65CTI

EAN/GTIN:
5059043372570

Keresőfogalmak:

N-csatornás MOSFET, 100 V - 950 V, diódák, Beleértve

További információk:


Csatorna típusa:	N
Maximális folyamatos nyelőáram:	9 A
Maximális nyelő forrásfeszültség:	650 V
Csomag típusa:	ITO-220
Rögzítés típusa:	Furatszerelt
Tüskék száma:	3
Maximális nyelő forrásellenállás:	1,3 Ω
Csatorna mód:	Növekményes
Maximális kapu küszöbfeszültség:	5V
Maximális teljesítménydisszipáció:	13 W
Tranzisztorkonfiguráció:	Egyszeres
Maximális kapu forrásfeszültség:	-30 V, +30 V
Hossz:	16.07mm
Maximális működési hőmérséklet:	+150 °C
Elemek száma chipenként:	1

További keresőfogalmak: 1697185, Félvezetők, Diszkrét félvezetők, MOSFET-ek, DiodesZetex, DMG9N65CTI

A kondíciók áttekintése¹

Szállítási idő

Raktárkészlet

Nettó ár

kezdő: HUF 325,00*

Az ár 150 000 db-től érvényes

Megrendelések csak a 50 db többszöröseként

Sávos árak

* A csillaggal jelölt árak nettó árak, jogilag érvényes ÁFA nélkül.

Ajánlatunk kizárólag vállalatoknak, vállalkozóknak és szabadfoglalkozásúaknak szól.