MOSFET, 1 elem/chip, 3,3 A, 30 V, 3-tüskés, SOT-89 Egyszeres Si

Mennyiség:

csomagok

Termékinformációk

Cikkszám:
4GUDN-1708997

Gyártó:
Diodes

Gyártói szám:
ZXMN3A01ZTA

EAN/GTIN:
5059043753386

Keresőfogalmak:

N-csatornás MOSFET, 30 V, diódák, Beleértve

További információk:


Csatorna típusa:	N
Maximális folyamatos nyelőáram:	3,3 A
Maximális nyelő forrásfeszültség:	30 V
Csomag típusa:	SOT-89
Rögzítés típusa:	Felületre szerelhető
Tüskék száma:	3
Maximális nyelő forrásellenállás:	180 mΩ
Csatorna mód:	Növekményes
Minimális kapu küszöbfeszültség:	1V
Maximális teljesítménydisszipáció:	2,12 W
Tranzisztorkonfiguráció:	Egyszeres
Maximális kapu forrásfeszültség:	-20 V, +20 V
Hossz:	4.6mm
Maximális működési hőmérséklet:	+150 °C
Elemek száma chipenként:	1

További keresőfogalmak: 1708997, Félvezetők, Diszkrét félvezetők, MOSFET-ek, DiodesZetex, ZXMN3A01ZTA

A kondíciók áttekintése¹

Szállítási idő

Raktárkészlet

Nettó ár

kezdő: HUF 273,805*

Az ár 200 000 csomagok-től érvényes

1 csomag tartalmaz 5 db (kezdő: HUF 54,761* db-ként)

Megrendelések csak a 400 csomagok többszöröseként

Sávos árak

* A csillaggal jelölt árak nettó árak, jogilag érvényes ÁFA nélkül.

Ajánlatunk kizárólag vállalatoknak, vállalkozóknak és szabadfoglalkozásúaknak szól.