MOSFET, 1 elem/chip, 20,7 A, 650 V, 3-tüskés, TO-220 FP SPA20N60C3 Egyszeres

Infineon MOSFETA Infineon through-Hole bajonettes N-csatornás MOSFET egy új kortermék, amely 190 m-es elvezető-forrás ellenállással rendelkezik, 10 V-os kapu-forrás feszültségen. A MOSFET folyamatos leeresztési árama 20.7A. A kapuforrás maximális feszültsége 20 V, a leürítő forrás feszültsége 600 V. Maximális teljesítményleadása 71 W. A MOSFET meghajtó feszültsége 10V. Kisebb kapcsolási és vezetési veszteségekre optimalizálták. A MOSFET kiváló hatékonyságot és hosszú és produktív élettartamot biztosít a teljesítmény vagy a funkcionalitás romlása nélkül.Funkciók és előnyök• egyszerű használat • a helyszínen bizonyított CoolMOS minőség • nagy hatékonyság és teljesítménysűrűség • nagy megbízhatóság • alacsony kapu töltés (QG) • alacsony specifikus az állami ellenállás • üzemi hőmérséklet-tartomány -55°C és 150°C között • kiemelkedő teljesítmény költség • nagyon alacsony energiatárolás kimeneti kapacitásban (Eoss) 400 V-onAlkalmazások• adapter • PC teljesítmény • szerver tápegységek • telekommunikációTanúsítványok• ANSI/ESD S20.20:2014 • BS EN 61340-5-1:2007 • JEDEC