MOSFET, 1 elem/chip, 300 A, 100 V, 8-tüskés, HSOF-8 IPT015N10N5 Egyszeres

Infineon MOSFETA Infineon HSOF-8 felületre szerelhető N-csatornás MOSFET egy új korú termék, amelynek merítő-forrás ellenállása 1,5 m, kapu-forrás feszültsége 10 V. A MOSFET folyamatos leeresztési áramerőssége 300 a. A kapu maximális feszültsége 20V, a leeresztő-forrás feszültsége pedig 100V. Maximális teljesítményleadása 375W. A MOSFET minimális és maximális vezetési feszültsége 6V, illetve 10V. Kisebb kapcsolási és vezetési veszteségekre optimalizálták. A MOSFET kiváló hatékonyságot és hosszú és produktív élettartamot biztosít a teljesítmény vagy a funkcionalitás romlása nélkül.Funkciók és előnyök• 100% lavina tesztelt • kiváló kapu töltés x RDS (on) termék (FOM) • Halogénmentes • a legmagasabb rendszer-hatékonyság • ideális magas kapcsolási frekvencia • megnövelt teljesítménysűrűség • ólom (Pb) mentes bevonat • alacsony feszültségű túllövés • üzemi hőmérséklet-tartomány -55°C és 175°C között • szinkron egyenirányítás • kimeneti kapacitás csökkentése akár 44% • RDS (be) csökkentése akár 44% • nagyon alacsony ellenállás RDS (be)Alkalmazások• adapter • könnyű elektromos járművek • alacsony feszültségű meghajtók • szerver tápegységek • Solar • telekommunikációTanúsítványok• ANSI/ESD S20.20:2014 • BS EN 61340-5-1:2007 • IEC61249-2-21 • JEDEC