AEC-Q101 MOSFET, 1 elem/chip, 59 A, 40 V, 3-tüskés, DPAK (TO-252) NVD5C464N Egyszeres

A Semiconductor vadonatúj nagyfeszültségű „super-junction”; (SJ) MOSFET-családjába tartozó SuperFET® III MOSFET a rendkívül alacsony bekapcsolt állapotú ellenállás és alacsonyabb kaputöltés érdekében töltéskiegyenlítési technológiát használ. Ez a fejlett technológia minimálisra csökkenti a vezetési veszteségeket, így kiváló kapcsolási teljesítményt nyújt és a szélsőséges dv/dt aránynak is ellenáll. A SuperFET III MOSFET következésképp különösen alkalmas a miniatürizálást és nagyobb hatékonyságot célzó különböző táprendszerekbe.700 V TJ = 150 °C mellett Nagyobb rendszer-megbízhatóság alacsony hőmérsékleten Ultra-alacsony kaputöltés (jell. Qg = 259 nC) Alacsonyabb kapcsolási veszteségek Alacsony effektív kimeneti kapacitás (jell. Coss(eff.) = 1972 pF) Alacsonyabb kapcsolási veszteségek Kiváló teljesítményű beépített dióda (alacsony Qrr, robusztus beépített dióda) Megbízhatóbb rendszer az LLC-ben és a fáziseltolás teljeshidas áramkörében Optimalizált kapacitás Alacsonyabb csúcs Vds és alacsonyabb Vgs-oszcilláció Jell. RDS(on) = 23 mΩ