MOSFET, 1 elem/chip, 14 A, 650 V, 3-tüskés, D2PAK (TO-263) Egyszeres

A Semiconductor vadonatúj nagyfeszültségű „super-junction”; (SJ) MOSFET-családjába tartozó SuperFET® III MOSFET a rendkívül alacsony bekapcsolt állapotú ellenállás és alacsonyabb kaputöltés érdekében töltéskiegyenlítési technológiát használ. Ez a fejlett technológia minimálisra csökkenti a vezetési veszteségeket, így kiváló kapcsolási teljesítményt nyújt és a szélsőséges dv/dt aránynak is ellenáll. A SuperFET III MOSFET következésképp különösen alkalmas a miniatürizálást és nagyobb hatékonyságot célzó különböző táprendszerekbe.700 V TJ = 150 °C mellett Nagyobb rendszer-megbízhatóság alacsony hőmérsékleten Ultra-alacsony kaputöltés (jell. Qg = 30 nC) Alacsonyabb kapcsolási veszteségek Alacsony effektív kimeneti kapacitás (jell. Coss(eff.) = 277 pF) Alacsonyabb kapcsolási veszteségek Optimalizált kapacitás Alacsonyabb csúcs Vds és alacsonyabb Vgs-oszcilláció Belső kapuellenállás: 7,0 ohm Alacsonyabb csúcs Vds és alacsonyabb Vgs-oszcilláció Jell. RDS(be) = 170 mΩ