MOSFET, 1 elem/chip, 40 A, 650 V, 3-tüskés, TO-247 Egyszeres

A Semiconductor vadonatúj nagyfeszültségű „super-junction”; (SJ) MOSFET-családjába tartozó SuperFET® III MOSFET a rendkívül alacsony bekapcsolt állapotú ellenállás és alacsonyabb kaputöltés érdekében töltéskiegyenlítési technológiát használ. Ez a fejlett technológia minimálisra csökkenti a vezetési veszteségeket, így kiváló kapcsolási teljesítményt nyújt és a szélsőséges dv/dt aránynak is ellenáll. A SuperFET III MOSFET következésképp különösen alkalmas a miniatürizálást és nagyobb hatékonyságot célzó különböző táprendszerekbe. A testdiódák fordított visszaállítási teljesítményéhez optimalizált SuperFET III FRFET® MOSFET-ek révén csökkenhet a kiegészítő alkatrészek száma, illetve nő a rendszer megbízhatósága.700 V TJ = 150 °C esetén Nagyobb rendszer-megbízhatóság alacsony hőmérsékleten Ultra-alacsony kaputöltés (jell. Qg = 81 nC) Alacsonyabb kapcsolási veszteségek Alacsony effektív kimeneti kapacitás (jell. Coss(eff.) = 722 pF) Alacsonyabb kapcsolási veszteségek Kiváló teljesítményű beépített dióda (alacsony Qrr, robusztus beépített dióda) Megbízhatóbb rendszer az LLC-ben és a fáziseltolás teljeshidas áramkörében Optimalizált kapacitás Alacsonyabb csúcs Vds és alacsonyabb Vgs-oszcilláció Jell. RDS(be) = 70 mΩ Alkalmazások Telekommunikáció Felhőrendszer Ipari Telekommunikációs tápellátás Kiszolgáló tápellátása EV (elektromos jármű) töltő Napelem/szünetmentes tápegységek