MOSFET, 1 elem/chip, 350 mA, 90 V, 3-tüskés, TO-39 2N6661 Egyszeres

A 2N6661 egy javítási módú (normál esetben bekapcsolt) tranzisztor, amely egy függőleges DMOS struktúrát és jól bevált szilícium-kapu gyártási folyamatot alkalmaz. Ez az együttes így egy, a bipoláris tranzisztorok energiagazdálkodási képességeivel és a nagy bemeneti impedanciát, illetve a MOS eszközök pozitív hőmérsékleti együtthatójával rendelkező eszközt alkot. Az összes MOS-struktúrát jellemző tulajdonsággal bíró eszköz mentes a hőinstabilitástól és a hő okozta másodlagos letöréstől. A függőleges DMOS FET-ek számos olyan kapcsolási és erősítő alkalmazáshoz megfelelők, ahol nagyon alacsony a küszöbfeszültség, nagy letörési feszültség, nagy bemeneti impedancia, alacsony bemeneti kapacitás és gyors kapcsolási sebesség szükséges.Nincs másodlagos letörés Kis teljesítményű meghajtás igény Egyszerű párhuzamosíthatóság Alacsony CISS és gyors kapcsolási sebességek Kiváló hőstabilitás Beépített forrás-nyelő diódák Nagy bemeneti impedancia és nagy erősítés