MOSFET, 1 elem/chip, 260 mA, 400 V, 3-tüskés, TO-243AA TN2540 Egyszeres

Ez az alacsony küszöbértékű, javítási módú (normál esetben bekapcsolt) tranzisztor, amely egy függőleges DMOS struktúrát és jól bevált szilícium-kapu gyártási folyamatot alkalmaz. Ez az együttes így egy, a bipoláris tranzisztorok energiagazdálkodási képességeivel és a nagy bemeneti impedanciát, illetve a MOS eszközök pozitív hőmérsékleti együtthatójával rendelkező eszközt alkot. Az összes MOS-struktúrát jellemző tulajdonsággal bíró eszköz mentes a hőinstabilitástól és a hő okozta másodlagos letöréstől. A függőleges DMOS FET-ek számos olyan kapcsolási és erősítő alkalmazáshoz megfelelők, ahol nagyon alacsony a küszöbfeszültség, nagy letörési feszültség, nagy bemeneti impedancia, alacsony bemeneti kapacitás és gyors kapcsolási sebesség szükséges.Alacsony küszöb - (2,0 V max.) Nagy bemeneti impedancia Alacsony bemeneti kapacitás (125 pF max.) Gyors kapcsolási sebességek Alacsony bekapcsolt állapotú ellenállás Nincs másodlagos letörés Alacsony bemeneti és kimeneti szivárgás