MOSFET, P-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE, -60V

Ez az alacsony küszöbértékű, javítási módú (normál esetben bekapcsolt) tranzisztor, amely egy függőleges DMOS struktúrát és jól bevált szilícium-kapu gyártási folyamatot alkalmaz. Ez az együttes így egy, a bipoláris tranzisztorok energiagazdálkodási képességeivel és a nagy bemeneti impedanciát, illetve a MOS eszközök pozitív hőmérsékleti együtthatójával rendelkező eszközt alkot. Az összes MOS-struktúrát jellemző tulajdonsággal bíró eszköz mentes a hőinstabilitástól és a hő okozta másodlagos letöréstől. A függőleges DMOS FET-ek számos olyan kapcsolási és erősítő alkalmazáshoz megfelelők, ahol nagyon alacsony a küszöbfeszültség, nagy letörési feszültség, nagy bemeneti impedancia, alacsony bemeneti kapacitás és gyors kapcsolási sebesség szükséges.Alacsony küszöb - 2,0 V max. Nagy bemeneti impedancia Alacsony bemeneti kapacitás – 100 pF jellemzően Gyors kapcsolási sebességek Alacsony bekapcsolt állapotú ellenállás Nincs másodlagos letörés Alacsony bemeneti és kimeneti szivárgás